Магниторезистивные датчики
Магниторезисторы
Наиболее чувствительный датчик из серии работает с максимальным значением магнитной индукции в 11 Гс. Компонент позволяет использовать большие воздушные зазоры между датчиком и магнитом. Кроме того, с датчиком возможно применение более компактных и дешёвых магнитов. Порог срабатывания новых датчиков может незначительно изменяться при различных температурах. Новые компоненты представляют альтернативу датчикам на основе эффекта Холла, а также герконовым переключателям. Новые датчики имеют два типа чувствительности и два типа корпуса.
Анизотропные магниторезистивные датчики характеризуются высокой чувствительностью, обеспечивают высокие уровни первичного сигнала, широкий рабочий температурный диапазон, прочность, надежность и точность работы. Кроме того, они отличаются малым смещением и значительной нечувствительностью к магнитным и механическим допускам, что используется для создания разнообразных датчиков различных сфер применения, в частности, для автоэлектроники, промышленности и навигационных систем. Принцип действия АМР-датчиков основан на применении анизотропного магнитного эффекта, то есть на способности магниторезистивного материала, например пермаллоевой NiFe пленки, изменять сопротивление в зависимости от взаимной ориентации протекающего тока и вектора преимущественной намагниченности магнитных доменов пленки. При этом сопротивление пленки изменяется по формуле, приведенной на рис.
Нажимая на кнопку вы даете согласие на сбор, хранение и обработку своих персональных данных. Внешний вид товара может отличаться от представленного. Срок поставки со склада — дней Мин. Техническая документация: 2SS52M. Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
